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MgB_2是一种简单的二元半金属化合物,超导转变温度可达到39K,接近甚至突破了传统BCS理论关于简单金属间化合物超导转变温度的极限,使其在超导电子学器件方面拥有巨大的潜在应用价值。本论文中,我们采用磁控溅射法(MS)结合快速热处理方式(RTP)制备了MgB_2超导薄膜。论文主要工作总结如下:一、采用磁控溅射法在单晶Al2O3衬底上成功制备了一系列MgB_2超导薄膜。实验表明,MgB_2薄膜的超导性能、薄膜质量受溅射参数和退火工艺的影响较大。因此,通过优化工艺可以获得高质量的MgB_2超导薄膜。二、