当前6 GHz以下的传统微波频段的蜂窝频谱已经日趋饱和,很难跟上近期移动流量的急剧增长和其他5G技术场景的发展需求。因此,为了增加容量,5G技术的研究重心已转向使用更高频率的频段FR2（Frequency Range 2,6 GHz以上,以28、39、60、73 GHz为主）。而在这个频段范围下设计5G毫米波天线,则不可避免地要克服更高频段所带来高损耗问题。在兼具给射频前端提供具有低延迟的Gb/s数据传输速率的同时,采用封装天线（Antenna in Package,Ai P）的设计方案成了解决毫米波应用中损耗问题的极好方案。而扇出型晶圆级封装（Fan-out Wafer Level Packaging,FOWLP）技术相比于其他封装技术可以提供更小、更薄的封装,具有更高的输入/输出数量以及改进的热和电气性能,是未来封装天线Ai P使用的主流封装工艺。在扇出型晶圆级封装FOWLP中,其采用的环氧模塑料（Epoxy Molding Compound,EMC）的电特性随加工批次而不一样,且代工厂给出的电特性仅在2 GHz以下,显然无法满足毫米波天线设计时对高频电特性的需求。因此,为了能够准确的设计基于扇出型晶圆级封装FOWLP工艺的毫米波封装天线Ai P,有必要对影响天线性能的关键设计因素进行研究,即需要基于该封装架构来设计结构测试材料的高频电特性。本文基于扇出型晶圆级封装FOWLP工艺设计了3款测试结构来提取该工艺的环氧模塑料的高频微波特性。第一款的原理为微带环形谐振器法,其能够准确的得出环氧模塑料的介电常数,相对误差可以控制在0.6%内,其获得的损耗正切角的相对误差可控制在10%左右;第二款的原理为接地金属共面波导（Conductor-Backed Coplanar Waveguide,CBCPW）法,其获得的介电常数相对误差在2.7%左右;第三款的原理为微带传输线法,其获得的损耗正切角的相对误差也在6%左右,但相较于第一种结构,其能测试更广频段范围的环氧模塑料的微波特性。在获得了当前所使用的模塑料EMC的电特性性能之后,针对毫米波频段中的高损耗问题,本文基于扇出型晶圆级封装FOWLP工艺设计了一款工作在28 GHz频段的高增益磁流阵列天线,该天线为边射阵。天线尺寸为2.35λ0×1.25λ0×0.048λ0（λ0为天线的自由空间波长中心频率）。微带天线以TMz09模式谐振,利用四个缝隙进行辐射。天线仅由共面波导CPW馈电,模塑料中没有过孔,因此易于与芯片集成并降低成本。仿真结果表明,设计的天线最终实现了1.00 GHz的-10 d B输入阻抗带宽和28.19 GHz时的11.07 d Bi模拟峰值实现增益。