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半导体纳米晶体的生长、合成,线性和非线性光学性质,以及其广阔的应用前景成为近年来国内外研究的热点。InSb是Ⅲ-Ⅴ族半导体中带隙最窄、载流子迁移率最高的半导体材料,在红外探测己有很好的应用[1],其纳米尺度的量子点、阱和低维半导体量子体系表现出许多特殊的光、电和磁等物理性能,在超高密度磁头、医学成像、近距离通讯等领域有着巨大的应用前景[2]。本文分别采用了真空蒸镀法和惰性气体中蒸发法制备了沉积在SiO2基片上的InSb纳米微粒。用原子力显微镜（AFM）,扫描电子显微镜（SEM）,X射线衍射分析（XRD）和X射线能谱仪（EDS）等测试手段对两种方法制备的微粒样品的表面形貌、颗粒大小、晶体结构和元素组分进行了表征。分析得到结果表明:两种方法均制备出了多晶态的InSb纳米微粒,但晶格结构不同,样品中都混有少量的In和Sb单质颗粒,且两种元素的比均接近1:1;真空蒸镀法得到的微粒的晶态受基片表面晶格和退火的影响,颗粒的尺寸与蒸镀时间成正比;而惰性气体中蒸发法得到的微粒结晶过程与基片无关,颗粒的尺寸与惰性气体的种类和压强有关。对比两种方法的优缺点和得到的颗粒性质,我们发现惰性气体中蒸发法更易操作,且颗粒的结构更稳定,因此我们采用这种方法重新在ZnS基片上沉积了InSb纳米颗粒,并测量样品的拉曼光谱和红外吸收谱。结果表明,InSb纳米晶的拉曼光谱特征峰与体材料有显著不同,并且随着颗粒尺寸的减小发生显著的蓝移;样品的室温吸收边随着颗粒尺寸的减小也发生蓝移。用有效质量近似模型计算了半导体纳米晶体的吸收边随颗粒半径变化的关系,得到的结论与实验结果比较接近。