基于卟啉和吡咯并吡咯二酮类单元有机半导体材料的合成及性能研究

来源 :谢柳平 | 被引量 : 0次 | 上传用户:MyraChen
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有机半导体材料已被应用于众多领域,例如有机太阳能电池(OSCs)、有机电化学晶体管(OECTs),有机发光材料等方面。本论文采用吡咯和噻吩等原料合成了一系列具有大π共轭环结构的卟啉和吡咯并吡咯二酮(DPP)等衍生物,并将其应用于OSCs和OECTs。此外,还研究了卟啉和吡咯并吡咯二酮衍生物结构对OSCs和OECTs器件性能的影响。卟啉衍生物被应用于OSCs,并研究了其结构,例如桥联基团、端基、侧链,对其器件性能的影响;吡咯并吡咯二酮衍生物被应用于OECTs,并通过优化分子的主链和侧链来提高其器件的性能。通过核磁共振氢/碳谱、飞行时间质谱、傅里叶红外表征等检测方法表征其合成的中间体与目标分子;通过密度泛函理论(DFT)计算、紫外-可见吸收光谱(UV-Vis)、循环伏安法(CV)等分析方法分析和表征目标分子的光物理、电化学等性能;通过原子力显微镜(AFM)分析给受体材料混合薄膜的表面形貌;通过粉末衍射分析方法表征目标分子的结晶性能;通过热重分析和示差扫描量热法(DSC)研究目标分子的热学性能;具体研究如下所示:(1)设计并合成了四个具有A-π-D-π-A结构的小分子给体材料,分别为Por-T、Por-TT、Por-DT和Por-BDT。分别选用噻吩、并噻吩、联噻吩和苯并二噻吩修饰这四个小分子的π桥联基团。研究结果表明,这四种小分子材料中,Por-BDT,其π桥联基团中引入了苯并二噻吩修饰,其器件转换效率是所有器件中最高的。此外,通过溶剂蒸汽处理后,Por-T,Por-TT,Por-DT和Por-BDT四个分子与PC71BM的共混薄膜的电子迁移率(μe)分别为2.25×10-4 cm~2V-1s-1、1.48×10-4cm~2V-1s-1、1.02×10-4 cm~2V-1s-1和1.92×10-4 cm~2V-1s-1,其他们对应的OSCs器件效率分别提高至7.87%、6.64%、3.92%和8.59%。(2)设计并合成了三个具有A-π-D-π-A结构的小分子给体材料,分别为DTTTPor-1、DTTTPor-2和DTTTPor-3。这些小分子的端基分别用3-乙基绕丹宁、3-己基-丙二氰基绕丹宁和丙二氰基茚酮修饰。研究结果表明,DTTTPor-1、DTTTPor-2和DTTTPor-3基器件的μe分别为1.02×10-4 cm~2V-1s-1、2.13×10-4cm~2V-1s-1和2.19×10-4 cm~2V-1s-1,空穴和电子之比分别为1.09、0.74和0.57。此外,在这三种小分子对应的器件中,DTTTPor-1基器件的效率最高达8.91%。(3)设计并合成了五个具有不同侧链的小分子给体,分别为Por-1、Por-2、Por-3、Por-4和Por-5。他们对应的μe分别为1.57×10-4 cm~2V-1s-1、1.06×10-4 cm~2V-1s-1、1.07×10-4 cm~2V-1s-1、1.08×10-4 cm~2V-1s-1和3.70×10-4 cm~2V-1s-1。该结果表明,Por-1、Por-2、Por-3和Por-5的μe要比Por-4高一个数量级。在Por-1、Por-2、Por-3和Por-5中,其卟啉的侧链被并噻吩取代;在Por-4中,其卟啉的侧链被烷基取代。此外,侧链为正己基的Por-1的器件的OSCs器件转换效率最高,达到8.30%。(4)设计并合成了三个具有不同的烷基链或主链结构的聚合物,分别为P1、P2和P3。其μe分别为9.5×10-2 m~2V-1s-1、8.7×10-2 m~2V-1s-1和4.4×10-2 m~2V-1s-1。循环伏安结果表明,当Bis-EDOT引入主链时,其HOMO能级下降,吸收光谱变宽,带隙变窄。P2的主链上引入Bis-EDOT,侧链为三乙二醇。其OECTs器件具有电压阈值低、跨导高、开关电流比高及响应速度快等优点。对基于P2的OECTs进行8h连续脉冲开关测试发现,其漏电流几乎没有衰减。该结果表明P2是一种非常有前景的OECTs器件材料。(5)设计合成了四个具有相同主链骨架的DPP-bis EDOT聚合物,分别为P4、P5、P6和P7。其DPP单元侧链上具有不同亲疏水基团比例。研究结果表明,乙氧基所含比例越高,其OECTs器件性能越好,包括阈值电压低、开关比高。乙氧基比例为100%的聚合物P4的器件性能最好,其阈值电压为-0.139 V,其跨导值为0.463 m S,开关电流比为2.85×10~4,开关响应时间为2.9 us。
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