光场中瑞利粒子的横向受力特性研究

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光镊实质上是基于散射力和梯度力相互作用而形成的能够控制从几十纳米到几十微米微粒的势阱。由于其具有亚接触和无损伤特性,现已成为生命科学发展的重要工具,促进了物理和生物两大基础学科的交叉和发展。本文以电磁模型为基础,推导了零级贝塞尔光束捕获粒子的最小半径的表达式,并计算了瑞利粒子在零级贝塞尔光束、基模高斯光束和拉盖尔-高斯光束中所受的横向力和势阱的深度;理论计算得出了瑞利粒子被稳定束缚的条件;讨论了实验参数、微粒的性质以及周围介质的情况等与横向光阱力的关系。通过对瑞利粒子在基模高斯光束、零级贝塞尔光束和拉盖尔—高斯光束中所受横向力和势阱深度的数值计算,结果表明:粒子所受横向力和光阱深度随着激光的波长的减小而增大,随着粒子的相对折射率减小而减小,随着入射光腰的减小而快速增大。光强的梯度分布对捕获瑞利粒子影响最大,光强梯度越大,产生的势阱越深,对粒子的束缚越稳定。零级贝塞尔光束和拉盖尔-高斯光束的光强梯度都大于高斯光束的强度梯度,所以零级贝塞尔光束和拉盖尔-高斯光束产生的势阱可以克服布朗运动的影响,实现对瑞利粒子的稳定束缚。全文共分为三章:第一章介绍了光镊技术研究的历史、背景和国内外研究现状。第二章介绍了光镊技术的基本原理,概括地介绍了梯度力、散射力。第三章对粒子在零级贝塞尔光束、基模高斯光束和拉盖尔-高斯光束中所受横向力进行了数值计算,讨论了实验参数对光阱力的影响。
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