本文利用脉冲激光沉积技术(PLD)和直流磁控溅射技术制备了性能优良的氧化锌掺铝(AZO)透明导电薄膜,对AZO薄膜用作于GaN基发光二极管(LED)透明电极进行了探索。主要工作内容包括：1.采用PLD技术在玻璃衬底上制备AZO薄膜,研究了衬底温度和氧压对薄膜性能的影响。将PLD法制备的AZO薄膜用作于GaN基LED透明电极,芯片测试结果表明,当电流为20mA时,芯片正向电压10V左右,芯片发光不均匀。进一步的分析测试表明,由于晶界处原子的扩散和等离子体对材料有一定的损伤,使得界面处AZO和GaN材料的电学性能降低,形成一20-30nm厚的高阻层,导致AZO与p型GaN层之间无法形成良好的欧姆接触。2.采用直流磁控溅射法生长了性能优良的AZO薄膜,将AZO/ITO复合膜用作于GaN基LED透明电极,对芯片制备工艺进行探索,成功的制备了以AZO/ITO复合膜为透明电极的GaN基LED芯片；工艺方案：首先镀AZO/ITO复合膜,再刻蚀n-GaN台阶,要求ITO不可过厚,光刻时采用不挖孔光刻板。3.研究了具有不同膜厚的ITO和AZO的AZO/ITO复合膜对芯片性能的影响,当AZO厚度为500nm,ITO厚度为20nm时,芯片接触电压低,发光强度高,该芯片与标准的芯片相比,性能相当。使用AZO/ITO复合膜代替ITO膜,ITO替代率达93%,节省稀贵In资源使用量。