在现代无线通信系统中,射频终端放大器的性能指标影响着整个通信系统的好坏,而其在雷达、无线通信、导航、卫星通讯、电子对抗等系统中也有着广泛的应用,是现代无线通信的关键部件之一。在此背景下,我们研究设计出了一个工作在1.9-2.0GHz的窄带射频放大器。研究中,我们采取的是两级放大器级联的方式,同时采用ADS进行了性能仿真,分别针对偏置电路和匹配电路进行了设计,最后得到了该放大器的性能指标。针对制板时的电路原理图和布线,考虑到制板时所引入的寄生参数、保护电路、过孔接地等情况,改进了放大器的制板电路,提高了电路板的电磁兼容的性能。最后对实现的两级放大器进行了测试和优化。目前GaAs FET器件由于噪声低、效率高、线性度好等优点被广泛应用于射频放大器。本文讨论了GaAs FET有源器件的模型,利用S参数分析了射频放大器的增益和稳定性,详细讨论了阻抗匹配网络和偏置网络的具体实现,综述了射频放大器的几种主要设计方法。本文对射频放大器的研制包括:驱动级放大器和末级放大器的研制。在选定合适的拓扑结构后,对放大器的静态偏置点、输入输出匹配电路进行仿真,通过应用小信号S参数设计方法和非线性设计方法分别设计了驱动级和末级放大器,并对实验结果进行了测试。最后对该设计电路中的不足之处进行了分析总结。