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随着薄膜晶体管(TFT)和系统面板(SoP)技术的不断发展，将来像素存储和存储块可望被直接集成在显示板上，既能实现数据存储，也能降低功耗。因此，基于TFT结构的非挥发存储器正逐渐成为国内外科研人员的研究热点。本论文研究了基于铟镓锌氧化物(IGZO) TFT的非挥发存储器，并对器件的电学编程和紫外光擦除特性进行了研究，取得了如下研究成果: (1).采用磁控溅射方法制备了IGZO薄膜，研究了薄膜淀积条件、淀积后的退火温度以及退火环境对IGZO薄膜的电阻率、载流子浓度、迁移率、光学带隙、透光性的影响，获得了较理想的制备条件。同时，对相关的影响机理进行了分析讨论，提出了IGZO薄膜中的氧缺陷密度是影响其电学性能的关键。 (2).制备出了基于原子层淀积Al2O3/Pt纳米晶(NCs)/Al2O3栅叠层结构和非晶IGZO导电沟道的背栅TFT存储器，获得了很好的电学性能，即开关电流比为106，亚阈值斜率为0.388V/dec，有效载流子迁移率达到8.42cm2/V·s。该存储器在10V/1ms下电编程，以及100mW/cm2紫外辐照/5s下光擦除，所得阈值电压存储窗口为5.63V;在上述条件下编程和擦除后，室温下外推到十年所对应的TFT存储器的阈值电压窗口仍高达2.56V。此外，该存储器无法实现有效的电擦除，并对相关机理进行了解释。 (3).制备了双层Pt纳米晶结构的非晶IGZO TFT存储器，该TFT存储器在10V/1ms条件下编程，以及在100mW/cm2紫外辐照/5s条件下擦除，所得存储窗口为7.3V，室温下外推到十年其存储窗口为4.17V。与单层Pt纳米晶TFT存储器相比，其性能有明显的改善。此外，为了实现电可擦除的TFT存储器，论文提出了采用异质双层纳米晶做电荷俘获层的TFT存储器，并从理论上对其电擦除的可能性进行了分析。