有源矩阵液晶显示技术(AMLCD)是目前主流的显示技术，同时随着显示技术的发展，被称为下一代显示技术的有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)在最近几年也取得了飞速的发展。目前平板显示技术正朝着更高分辨率、更低功耗、更大尺寸的方向发展，其核心元件—薄膜晶体管(TFT)，目前大多仍然以非晶硅TFT和多晶硅TFT为主，但非晶硅TFT迁移率低、阈值电压容易发生漂移;多晶硅TFT制备工艺复杂、大面积制备均匀性差。　　采用新型半导体材料的TFT是今后发展的方向，本论文针对目前非晶硅TFT、多晶硅TFT在显示应用中的不足，研究利用微晶硅TFT以及氧化物TFT制备TFT-LCD，以期达到对TFT-LCD的优化设计，为今后深入研究TFT-LCD技术奠定基础。微晶硅TFT和氧化物TFT，相比非晶硅TFT具有更高的载流子迁移率以及更好的稳定性，相比多晶硅TFT具有更好的均匀性，并且制备工艺简单、在低温条件下可大面积制备，这类新型的TFT可以替代非晶硅TFT和多晶硅TFT并应用于LCD和OLED等显示器件中，具有广阔的发展前景。　　本文利用SILVACO模拟软件设计并仿真TFT结构，研究不同参数如沟道材料、沟道宽长比等对TFT器件性能的影响，并仿真得到其特征参数;同时进行微晶硅TFT以及氧化物TFT的制备与测试，并结合测试结果得到仿真修正参数，以指导模拟各种结构的新型TFT;利用Labview软件设计了TFT-LCD面板的初步优化程序，研究TFT沟道宽度W和存储电容Cs对TFT-LCD设计的影响，指出优化TFT沟道宽度W相比存储电容Cs更容易满足TFT-LCD的优化设计要求;同时利用液晶显示模拟软件TechWiz对TFT-LCD的像素结构进行设计与仿真，设计的新型TFT能够满足高分辨率、高驱动频率的显示要求。最后，进行了TFT-LCD的制备工艺研究，为新型TFT在LCD显示中的应用打下良好基础。