该文主要地研究了薄晶片或量子阱中激子的超荧光和激子与微腔中单模辐射光场的相互作用过程.研究人员首先研究了薄晶片(双层和三层晶格)中低深度激子的超荧光.在考虑了双光子项后,不再出现非物理极点.研究人员在理论计算中没有作旋波近似,也没有忽略不同波矢激子之间的耦合.用运动方程推导出激子和光场随时间的演化,求出了各个本征衰率和不同波矢激子的混合.研究人员的计算表明,不论是双层还是三层不同波矢激子之间的耦合都是不能忽略的.在求出光场的基础上,研究人员求出了辐射能流,所激子之间的耦合都是不能忽略的.在求出光场的基础上,研究人员求出了辐射能流,所得结果具有正确的方向(即由晶片向外)并显示出推迟效应.研究人员计算也表明,在短寿命激子将衰变守长寿命激子的辐射开始占主导的过渡时期,能流将出现脉动.第三章研究人员讨论了高浓度情况下量子阱中激子的共振荧光,求出了谱线的分裂和稳恒时光强涨落,在弱荧光近似下,虽然拉比分裂已不出现,但在泵浦光强度超过一定临界值的情况下激子-激子相互作用仍将导致荧光谱的双峰结构.第四章研究了激子微腔QED中腔场与库的非线性耦合以及激子-激子相互作用的效应.在这两个非线性模型中研究人员研究了微腔中量子阱内激子辐射出输出场,求出场两个位相正交分量的涨落谱,从理论上预言了通过激子与腔场的非线性作用,其输出场的正交分量可以出现压缩效应.最后一章研究人员讨论了腔场的库被压缩的情况下,激子辐射的稳定性条件以及腔内光场涨落的功率谱.