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在科学技术迅猛发展的今天,半导体薄膜材料凭借其优良的特性和尺寸上的特殊优势,已然成为当今材料技术研究的热点。目前研究比较广泛的是锌类和氮族化合物。Zn_3N_2薄膜材料因同属于锌类和氮族的Ⅱ-Ⅴ化合物,引起了科学研究者的广泛关注。Zn_3N_2薄膜具有高载流子迁移速率、高电导率且禁带宽度因制备方法的不同而变化等优点,同时Zn_3N_2薄膜的制备方便、操作简单。本研究采用射频反应磁控溅射技术,将纯度为99.99%的纯金属锌靶材放在氮气和氩气气氛中反应溅射,在Al_2O_3、MgO和Si衬底上