化学浴沉积法相关论文
由于钙钛矿固有的光电性能和优良的成膜性,钙钛矿太阳能电池（PSCs）发展比较迅速,小面积器件效率达到了25.5%。然而,PSCs要实现大规模......
ZnO是第三代宽禁带半导体的杰出代表,室温下的禁带宽度为3.37 eV,具有很高的激子束缚能60 meV,发光波长范围覆盖了从紫外到红外的......
随着智慧城市的不断推进,人们对于成像和观测手段的需求越来越高。短波红外（1-3μm）作为可见光频谱的重要拓展,因其与现行的可见光探......
通过化学溶液法在玻璃基片上沉积硫化铅(PbS)薄膜,利用原子力显微镜(AFM)分析薄膜的表面形貌,采用X射线衍射(XRD)技术分析薄膜的结......
以硫酸锌、(NH4)2S2O3混合溶液为前驱体溶液,加入少量的柠檬酸钠和丙三醇为络合剂为分散剂,采用化学浴沉积法在玻璃村底上成功制备......
采用简单的化学浴沉积法(CBD)制备出水合氢氧化镍[Ni(OH)2·0.75H2O]粉体。该粉体具有微/纳构造特征,整体呈现出无规则微米级颗粒......
明确的分叉的 ZnO nanorods 被一条灵巧的湿化学的线路在相对低的温度用一个化学洗澡免职方法在各种各样的底层上制作。同样综合的......
为获得高质量的良好取向和低成本的ZnO纳米线阵列，利用化学浴沉积法，在石英玻璃基底上制备ZnO纳米线阵列，在Ar气气氛中对ZnO纳米线阵......
花粉是一种具有优异特性的生物质碳材料，通过简单的强酸碳化处理，可以得到特殊3D碳骨架材料。我们使用这种3D花粉碳骨架为基底材......
为了发展低成本、大面积和高性能光电二极管,采用简单的化学浴沉积方法,在氧化铟锡（I TO） 玻璃基底上生长良好取向的ZnO纳米线阵列（ZN......
自然界中的一些生物材料，如贝壳等由于具有独特的“砖泥”多级复合结构往往表现出高的强度和优异的断裂韧性。制备出这种具有纳......
氧化锌(ZnO)作为非常重要的无机化合物,一直以来扮演着非常重要的角色。近几十年来,在当今和未来的纳米产业中,对ZnO潜在应用的研......
纳米二氧化钛(TiO2)具有优良的光电特性、光催化活性、抗菌性等，在太阳能电池、光催化降解污染物以及医用材料等领域已有广泛的研究......
自然界中许多生物材料，如贝壳等，通常是由矿物薄片和有机薄膜交替组成的具有高度有序的“砖泥”结构的复合材料。这种多尺度多层次的......
硒化镉(CdSe)是一种典型的直接带隙Ⅱ-Ⅵ族半导体材料，在可见光范围有比较好的吸光性能，被广泛的应用到太阳能器件中。CdSe的制备工......
氧化锌(ZnO)作为一种新型的直接宽禁带氧化物半导体材料,一直受到广泛关注。ZnO具有室温下3.37eV的禁带宽度,60meV的激子束缚能,优......
太阳能是所有能源中无限量的清洁能源，被视为未来人类生存发展的主要能源。目前，太阳能电池大多基于宽禁带半导体材料，虽然克服了对环......
随着经济社会的高速发展，人们的生活水平日益提高，但是高速发展的背后是环境的高度恶化和能源的极度危机。有毒、有害难降解的有机物......
氧化锌(Zno)是Ⅱ-Ⅵ族组成的金属氧化物半导体,由于其相对宽的直接带隙(-3.37eV)和较高的激子束缚能(60meV),使得其具有在室温下发......
SnS无毒、环保,其光学禁带宽度与可见光有很好的光谱匹配,非常适合作为太阳能电池中的光吸收层材料。ZnO的禁带宽度约为3. 3eV,具......
立方晶系的FeS_2(pyrite)是一种黄铁矿型结构的化合物半导体，其理论禁带宽度为0.95eV，光吸收系数高达10~5cm~(-1)，组成元素储量丰富无......
太阳能电池是解决能源危机和环境问题的最有效手段之一,但高成本限制了太阳能电池的大规模应用。因此,通过低成本的制备方法和材料......
染料敏化太阳能电池制备工艺简单、成本低廉且转化效率相对较高,是最有希望产业化的太阳电池之一。科学家经过30年的努力,已将这类......
氧化锌（ZnO）是Ⅱ-Ⅵ族宽禁带半导体材料，室温下禁带宽度为3.37eV，激子束缚能高达60meV，在室温或更高温度下能够实现高效发光。ZnO具有优......
随着日益增加的全球能源消耗和环境污染，开发绿色的能源和治理环境的污染是目前科学和工程领域最重要的课题之一。在治理环境的污染......
现阶段国内外对非极性ZnO的研究越来越受到关注，这是由于沿本征方向生长的ZnO会由于其自身结构而引起压电效应及自发极化效应，因此大......
本文在十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)存在下,用化学浴沉积法(CBD),分别以FTO玻璃、Cu片和Ti片作为衬底,制备了具有不同纳米结构的Cu2......
一维微/纳米材料尺寸结构在三维空间上有着特殊的分布,这使其在光、电、热、磁等方面有着许多优异的性能,因而在众多领域有着广泛......
ZnO是一种新型的直接带隙宽禁带Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料，室温下禁带宽度为3.37eV，激子结合能为60meV，由于ZnO较高的禁带宽度和大的激......
采用化学水浴法在抛光的p型Si(100)衬底上制备了本征Pb S及掺Zn的Pb S:Zn2+多晶纳米薄膜,采用X射线衍射谱、扫描电子显微镜、分光......
用化学浴沉积方法以CdCl2·2.5H2O和乌洛托品为前驱体制备了CdOHCl薄膜,并用X射线衍射、扫描电镜、场发射扫描电镜等方法进行......
太阳能薄膜电池的ZnS缓冲层一般是采用化学浴沉积法制备。制备ZnS缓冲层过程中，采用氨水为主络合剂，水合肼为辅助络合剂，通过添加少量......
基于化学浴沉积法，采用硫酸锌、硫脲、水合肼和氨水混合溶液于适当温度下在玻璃衬底上沉积得到表面均匀的ZnS薄膜．对在不同沉积时间......
以Zn(NO3)2·6H2O、六亚甲基四胺和聚乙烯亚胺(PEI)为原料,采用化学浴沉积法在沉积了ZnO种子层的氧化铟锡导电玻璃衬底上制备Z......
以硫酸锌、(NH4)2S2O3混合溶液为前驱体溶液,加入少量的柠檬酸钠和丙三醇为络合剂和分散剂,采用化学浴沉积法在玻璃衬底上成功制备......
太阳薄膜电池ZnS缓冲层一般以氨水为主络合剂、水合肼为辅助络合剂二元络合体系化学水浴法制备.实验发现以氨水为主络合剂、水合肼......
摘 要：为了提供多条电子传输通道，增加窄禁带半导体和有机半导体的负载量，采用一步水热法，在FTO基底上制备了由纳米管和纳米线组装而成......
将电沉积法和化学浴沉积法结合，分别将CdTe和CdS量子点纳米晶材料引入到TiO2纳米管阵列上制备CdTe/CdS量子点共敏化TiO2光电极。利......
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近年来,环境污染越来越严重,检测环境中的有害气体尤其重要,气敏传感器的出现引起了人们的关注。由于气敏性能与材料的形态结构有......
太阳能是一种绿色、安全的可再生能源,如何高效地利用太阳能是世界各国学者一直关注的焦点问题。光热转换是目前太阳能利用中效率......
采用化学浴沉积法将氯化镉、氯化铵、硫脲和氨水的溶液体系合成CdS薄膜,用扫描电子显微镜、X射线衍射仪和紫外可见吸收光谱等研究......
采用氯化镉、氯化锌、硫脲、柠檬酸钠和氨水的溶液体系通过化学浴沉积法合成Cd_xZn_（1-x）S薄膜,利用X射线衍射分析、扫描电子显微镜......
以五水硫代硫酸钠和五水硫酸铜配制冷溶液,氢氧化钠配制热溶液,利用氧化铟锡导电玻璃基底在两种溶液中循环浸泡的化学浴沉积法制备......
硫化铅是一种重要的窄禁带半导体材料,在室温时,其能带间隙约为0.4eV,波尔激子半径则为相对较大的18nm。这些特性使硫化铅对于红外......
以硫酸镍(NiSO4)和钨酸钠(Na2WO4?2H2O)为原料,采用低温化学浴沉积法在ITO导电玻璃上制备NiO和WO3电致变色薄膜,并通过物理方法制......
氧化锌(ZnO)作为一种重要的无机化合物,一直以来是人类历史的一部分。二十世纪材料科学中的新技术促进发现这种材料革命性的和潜在......
利用化学浴沉积法，以EDTA为络合剂，CuSO4·5H2O和Na2S2O3为前驱体溶液制备了硫化亚铜纳米薄膜，用FESEM、XRD、光学显微镜研究了前......
