忆阻器(memristor)被认为是除电阻器、电容器、电感器外的第四种基本电路元件,它是一种具有记忆功能的纳米级尺寸的非线性二端无源器件。目前,忆阻器已经引起越来越多的研究学者的广泛关注,是电路学研究的热点和前沿问题之一。　　 本文详细分析了忆阻器的特性,并提出了一种具有阈值电压的非线性杂质漂移忆阻器模型。在该模型中,当忆阻器两端的电压低于阈值电压时,忆阻器的状态保持不变;当忆阻器两端的电压大于阈值电压时,忆阻器的状态发生改变。本文对该模型进行了SPICE电路仿真,仿真结果和惠普实验室给出的忆阻器物理模型的特性曲线一致。　　 另外,本文设计了一种忆阻器的阻值控制电路,脉冲电压作为控制信号施加在忆阻器两端,通过控制脉冲电压的幅值或者持续时间可以改变忆阻器的阻值。在此基础上本文提出了一种基于忆阻器的自动增益控制电路。该自动增益控制电路由忆阻器、运算放大器、比较器和峰值检测电路组成。当电路输出信号幅值低于(高于)参考信号电平时,控制信号使得忆阻器的阻值减小(增大),从而使放大器的增益增大(减小),输出信号的幅值也就相应增大(减小),最终稳定在参考信号幅值上。经过SPICE仿真实验的验证,该电路成功地实现了增益的自动控制。