【摘 要】
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本论文以研究制备银纳米线（AgNW）与聚偏氟乙烯（PVDF）复合材料为目标,从逾渗理论计算机模拟、银纳米线制备、银纳米线与聚偏氟乙烯（PVDF）复合材料制备等方面展开了研究。通过使用Pyt
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本论文以研究制备银纳米线（AgNW）与聚偏氟乙烯（PVDF）复合材料为目标,从逾渗理论计算机模拟、银纳米线制备、银纳米线与聚偏氟乙烯（PVDF）复合材料制备等方面展开了研究。通过使用Python的科学计算相关的库进行了蒙特卡罗模拟,在模拟实现过程中,我们采用了目前连通性问题中最优的带权值的快速并查集路径压缩算法,同时还有针对性地进行了特殊优化,取得了一定的效果。接着采用多元醇法合成银纳米线,并探索了在反应前驱物浓度、反应时间、催化剂浓度和PVP分子量对银纳米线的生长过程的影响。并简单的从多重孪晶生长机制的分子动力学方面分析了各个影响因素的产生原因。随着预处理过含乙醛的乙二醇溶液的含量从0ml逐渐提高到150ml,银纳米线的长度逐渐变长,同时其中混杂的颗粒物也随之逐渐变少。银纳米线的反应时间大概为4小时左右。FeCl3在7.5μΜ-15μΜ的浓度下,才能保证银纳米线具有较好的形貌,较高或者较低的FeCl3的浓度均会导致较多的银纳米颗粒的产生。然后采用银纳米线直接与聚偏氟乙烯（PVDF）复合的方式得到AgNW/PVDF复合材料,以及使用溶胶-凝胶法在银纳米线外包覆一层SiO2从而使得得到的AgNW@SiO2/PVDF复合材料,后者在介电性能上相比较AgNW/PVDF复合材料有明显提升。100Hz时30wt%AgNW/PVDF复合材料的介电常数达到最高为14.96,40wt%的AgNW@SiO2/PVDF的复合材料介电常数高达49.21。
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