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液晶光阀是一种高分辨率空间光调制器。然而目前液晶光阀光敏层的单一带隙使得其只对带隙能量附近的光子具有较高的光响应度。因此,渐变带隙宽光谱的叠层薄膜在液晶光阀光敏层中有着非常重要的研究意义,使得宽光谱的光电探测器成为学者们研究的重点。本文以渐变带隙液晶光阀光敏层为研究背景,采用RF-PECVD制备本征的氢化非晶/纳米硅薄膜、及氢化非晶硅锗薄膜,同时还以a-Si:H为基底,对薄膜样品进行高能电子束辐照,通过AFM、Raman、XRD、FTIR、UV-vis等一系列测试手段研究样品薄膜微结构与光电性能,在此研究基础上,通过梯度改变氢气流量、锗烷流量设计出渐变光学带隙的光敏层。本文得出的主要结论如下:电子束辐照非晶硅薄膜。实验表明,电子束流密度在薄膜的结晶度中起着重要的作用。Raman和XRD分析得到,随着辐照电子束流密度增加晶化率已从62.9%升至88.9%和晶粒尺寸从2.57nm增到3.60nm。通过AFM,观察到所有的薄膜具有较低的表面粗糙度(σrms≤2.5nm),且随着电子束电流密度的增加表面粗糙度增加。通过FTIR光谱,我们分析得薄膜样品中氢的含量急剧下降,光学带隙从1.65eV增加到1.95eV,而且其电导率高达10-2S·cm-1,比未经辐照的a-Si:H高出6个数量级左右,而且没有发现光致衰退(S-W)效应。高氢稀释法制备的氢化非晶纳米硅薄膜。实验表明,随着氢气稀释比从140/3增加到220/1,薄膜的沉积速率下降,薄膜内部有从非晶态向晶态移动的趋势。薄膜的ITA/ITO和ILA/ITO比值呈现下降趋势,表明有序性增强,生成结构致密的膜层。硅薄膜中H的存在形式从Si-H2向Si-H转变,薄膜的光学带隙从1.7eV增加到1.92eV,暗电导率从1.42×10-7S·cm-1到增大到4.19×10-4S·cm-1,光电导率的增加速度较为平缓,从7.08×10-6S·cm-1到1.8×10-3S·cm-1,光敏性降低。掺锗的氢化非晶硅锗薄膜。实验研究范围内,随着锗烷流量的增加,薄膜的沉积速率增大,表面粗糙度(rms)从1.106nm增加到3.012nm,薄膜形貌变差,薄膜样品向非晶方向生长。Ge与Si的晶格失配引起薄膜有序性的降低,导致结构因子R增大。薄膜的光学带隙和B值随掺杂量的增大而减小,薄膜样品对光的吸收产生明显的蓝移。ITO-sub/Si1-xGex/Si1-yGey/Si1-zHz/Si1-q Hq的叠层薄膜的光敏性可达到5个数量级,可应用于液晶光阀光敏层中。