【摘 要】
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该文在考虑3d电子t轨道和e轨道局域性的差别以及配体旋-轨耦合作用的基础上,推导出了3d电子组态在Td立方群对称下的能量矩阵和顺磁g因子公式.文章认为:(a)对于配位位离子的共
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该文在考虑3d电子t<,2g>轨道和e<,g>轨道局域性的差别以及配体旋-轨耦合作用的基础上,推导出了3d<7>电子组态在Td立方群对称下的能量矩阵和顺磁g因子公式.文章认为:(a)对于配位位离子的共价性较强的晶体,t<,2g>轨道和e<,g>轨道的共价因子Nt和Ne的差别较大,Racah参量攻配体旋-轨耦合作用对能级跃迁和顺磁g因子的贡献不能忽略;(b)对于配位离子的离子性较强、共介性较弱的晶体,则Nt和Ne很接近,Racah参量A对能级跃迁的贡献实际消失,配位离子的旋-轨耦合作用的影响也可忽略.此时,该文所得的新Hamilton能量矩阵公式和顺磁g因子公式都简化为传晶体场理论的公式.最后,文章预言,用此套模型来解释共价性更强的Ⅲ-Ⅴ族化合物稀磁半导体,可以得到更加合理的结果;而且,此模型不仅适用于具有3d<7>电子组态的Co<2+>,同样也适用于具有3d<3>电子组态的V<2+>和Cr<3+>等离子;对于其它的点对称群,采用该文的模型也可望得到更好的结果.
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