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电机驱动系统被广泛应用于武器装备、轨道交通、新能源汽车和工业生产等领域,而功率开关器件是电机驱动系统的核心。随着电机驱动系统的效率和能耗问题越来越受到人们的重视,具有开关速度快、额定电压高和散热性能良好等特点的碳化硅器件也受到了人们的广泛关注。其中,已经完全实现商业化的碳化硅MOSFET被认为是传统IGBT器件的替代品。然而,由于碳化硅MOSFET的开关速度更快,导致电机驱动系统中的EMI问题较传统电机驱动系统更为严重。因此,对碳化硅MOSFET开关特性和碳化硅MOSFET电机驱动系统EMI问题的研究成为了学术界广泛关注的热点。碳化硅电机驱动系统相关领域内大量的研究成果表明碳化硅器件的开关特性是碳化硅电机驱动系统相对于传统电机驱动系统电磁兼容问题更为严重的根源。因此,本文重点研究了碳化硅MOSFET的开关行为,以及开关行为与电机驱动系统EMI之间的关系。为了研究碳化硅MOSFET的开关行为以及影响MOSFET开关行为的因素,本文基于该领域已有成果提出了一种碳化硅MOSFET开关行为模型,该行为模型基于双脉冲测试回路,通过对该回路中碳化硅MOSFET开关过程中各个状态之间相互关系的研究,将碳化硅MOSFET的开关过程各分为四个阶段,并将各个状态中的相关变量作为状态变量得到12个状态方程。同时,基于器件固有的特性得到了各个状态之间相互转换的条件,并利用MATLAB实现该开关行为模型。本文提出的开关行为模型考虑了MOSFET寄生电容的非线性特性,同时,也考虑了碳化硅MOSFET双脉冲测试回路中的功率回路与栅极回路之间相互耦合以及沟道电流的非线性特性。最后通过仿真和实验验证,本文提出的模型能够很好地反映碳化硅MOSFET的开关行为。并根据模型仿真和实验结果分析影响器件开关特性的因素。碳化硅MOSFET在电机驱动系统中的应用对整个电机驱动系统EMI的影响是本文的另一个研究重点。本文通过理论推导得出了碳化硅MOSFET和电机驱动系统EMI之间的关系。同时,利用傅里叶变换研究并量化电机驱动系统EMI频谱。分析碳化硅MOSFET开关行为对系统EMI的影响。最后,本课题设计了一套碳化硅MOSFET电机驱动系统,并利用该系统对相关的理论进行实验的验证以及实验结果的分析。