论文部分内容阅读
本工作采用离子注入的方法在GaN晶体中引入杂质，并在退火前后应用光致发光的手段研究离子注入对晶体发光的影响。样品为用MOVPE方法在蓝宝石衬底上生长的约2μm的n型GaN，选择注入的离子有镓(Ga)、镁(Mg)和硅(Si)，其能量均为100keV，注入温度为室温，注入的剂量为1013cm-2、1014cm-2、1016cm-2和1016cm-2四种。注入样品在流动氮气保护下经900℃高温退火，退火前后测量了样品的光致发光谱。
通过理论上的估算，离子注入在晶体中引入的缺陷可能有间位杂质、替位杂质和空位；离子注入产生的损伤严重影响了GaN的光学性质，其损伤的程度随注入离子的质量和注入的剂量的增加而增加。