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金属氧化物作为半导体材料被广泛应用于光电催化领域。CuO和Cu20都是p型半导体,CuO的禁带宽度为1.2eV,Cu2O的禁带宽度为1.9～2.2eV,都吸收可见光,能作为可见光光催化材料。ZnO是一种n型半导体材料,禁带宽度为3.37 eV。CuO/ZnO或Cu20/ZnO复合薄膜都显示出良好的光催化/光电化学性能。黄铜的主要成分是Cu和Zn,可以在其表面形成CuO、Cu2O和ZnO等氧化物,在制备复合金属氧化物半导体方面具有很大的优势。本论文研究了通过草酸腐蚀在黄铜基底上制备铜/锌复合氧化物薄膜的过程,考察了腐蚀条件对薄膜光电性能的影响规律。利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线粉末衍射仪(XRD)、激光拉曼光谱仪(Raman)、透射电子显微镜(TEM)和X射线光电子能谱(XPS)等对薄膜的形貌、结构和组成进行了表征,在0.1 mol·L--溶液中通过光电流-时间曲线的方法测试了样品的光电化学性能。主要研究内容和结果如下:1、酸种类的影响。经浓度为10%的磷酸(1.6mol·L-1)、乙酸(1.7 moL·L-1)和草酸(1.1 mol·L-1)腐蚀处理黄铜片表面,在60 ℃的烘箱中反应24 h后,在马弗炉里煅烧到300 ℃恒温2h,制备形成铜/锌复合氧化物薄膜。相比直接加热锻烧的黄铜样品,经过酸腐蚀的样品都显示光电流有所增强。其中经10%草酸腐蚀处理后的样品表面由片状和块状结构组成,表现出最大的阴极光电流。XRD分析显示表面是由CuO、Cu2O和ZnO组成。2、草酸浓度的影响。在60℃下,0.1～15%的草酸浓度范围内,制备的氧化膜表面的形貌都是由片状和块状结构组成。随着草酸浓度的增大,光电流呈现出先增大后减小,在草酸浓度为10%时腐蚀制备的氧化膜的光电流最大,但草酸浓度继续增加,氧化膜的光电化学性能反而降低。3、制备温度的影响。草酸浓度为10%,温度在20～80℃范围内制备的氧化膜形貌和结构基本相同。随着制备温度的增大,样品的光电流呈现出先增大后减小,在温度为60 ℃下制备的氧化膜光电流最大,零偏压下的光电流密度为-19.10μA·cm-2。4、乙酸的影响。为了进一步提高样品的光电化学性能,在草酸中加入少量乙酸。发现乙酸的加入并没有很明显地改变样品的形貌和结构,但能使表面的块状颗粒产生明显离解并导致样品的光电流显著增大。但乙酸浓度太大,样品的光电流也会减小。当在10%草酸中添加1%的乙酸时,氧化膜在零偏压下的光电流密度为-42.19μA·cm-2。