半导体纳米线被誉为下一代微纳电子器件的基本结构。氮化镓具有禁带宽度大、高电子迁移率、高热导率等优良特性,是制作短波长发光器件和高频大功率器件的理想材料。因此,生长GaN纳米线成为目前的研究热点。本文基于气-液-固(VLS)的生长机理,采用化学气相沉积(CVD)的方法,研究硅衬底上GaN纳米线的生长。主要研究成果如下：(1)分别采用Ga和Ga/GaCl3为源材料,研究Ni催化剂辅助的GaN纳米线生长。实验结果表明：Ga/GaCl3源可以获得高密度且笔直的高质量纳米线。以Ga/GaCl3为源材料生长GaN纳米线,为本文首次提出研究。(2)分别采用Ga2O3、Ga以及Ga203和Ga混合物作为源材料,研究Au催化剂辅助的GaN纳米线生长。实验结果表明：GazO3和Ga203/Ga源容易生成弯曲的纳米线,金属Ga源可以获得直的纳米线,生长机制为Au催化的VLS机制。(3)采用Au/Ni为催化剂,研究GaN纳米线生长。研究发现：采用Au/Ni作为催化剂,可以避免了Au扩散进入Si体内,因此可以在硅衬底表面获得均匀分布的纳米颗粒。与Au催化剂相比,采用Au/Ni催化剂改善了GaN纳米线的生长质量。(4)设计了两种反应室,用于金属有机物化学气相沉积(MOCVD)设备。通过实际的纳米线生长实验,对这两种反应室的优劣进行比较。研究发现降低反应室压强可以促进了纳米线的横向生长。