VLS机制相关论文
六硼化镧具有熔点高(2715℃)、导电性好、功函数低(2.66 eV)和热稳定性好等优异的物理特性,所以引起了研究者的广泛关注.而LaB6 纳......
采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)方法，以Au 为催化剂，在n 型(100)Si 衬底上成功制备了纤锌矿结构的GaN 纳米线。本文摒弃在传统制......
采用管式炉以等离子增强化学气相沉积(PECVD)方法，以Au为催化剂，在n型(100) Si衬底上成功制备了纤锌矿结构的GaN纳米线。与传统的以......
纳米材料的制备技术是纳米科技领域富有活力且研究内涵十分丰富的科学分支。而一维纳米材料(如纳米管、线、棒、带等)及其组装体系......
该论文着重于碳纳米管的制备研究.主要的工作包括以下几个方面:在以前的工作基础上,自行搭建和改造了一台热丝化学气相沉淀设备,并......
该论文着重介绍了有关碳纳米管的制备工艺、生长机制及其场发射性能等方面的研究工作,主要包括以下几个方面：对一台热丝化学气相沉......
提出了一种以LDH(水滑石类化合物)为催化剂，纳米硅粉为原料，在N2-H2混合气氛下制备单晶α-Si3N4纳米线的CVD(化学气相沉积)方法。研......
本研究提出了一种宏量制备单晶α-Si3N4纳米线的方法。以造粒硅粉为原料,通过在N2-H2混合气氛中直接氮化,得到具有核壳结构的氮化......
本文以硅烷（SiH4）为反应气体，利用等离子体化学气相沉积（PECVD）方法在硅（100）衬底上生长硅纳米晶体、纳米线。应用扫描电镜观察不同条件下......
报道了利用VLS生长机制,在NH3气氛中,由配合物GaCl3·NH3在高温下热分解反应成功制备了GaN纳米线,利用X射线衍射(XRD)、高分辨......
在镀Ni的Si衬底上用硅烷高温分解的方法由VLS机制制备了硅纳米线，在不同的实验条件下研究了VLS机制生长的三个阶段：结晶阶段、共熔阶......
采用直流电弧等离子体蒸发法,在氢/氩气氛中蒸发Si/Fe微米粉体混合压制的块体靶材,通过瞬态VLS生长机制合成纳米线。分析TEM结果表......
随着石油煤炭等的使用造成的全球气候变暖以及大气污染等问题日益严重,尤其是这些不可再生资源的有限性导致愈演愈烈的能源战争,迫......
