金刚石膜是一种集力学、电学、热学和光学等优异性能于一身的功能薄膜材料,在微电子、光电子、机械等领域具有广阔的应用前景和潜在市场,被认为是“二十一世纪材料”,在近二十年里形成了世界范围内的持续研究热潮.该文在回顾该领域研究进展的基础上,就金刚石膜在微电子、光电子技术应用中涉及到的关键技术即选择性定向生长开展了研究,同时对金刚石膜在光电子器件如X射线探测器、多孔硅发光中的应用进行了研究.该文在经含有金刚石粉末的光刻胶（DPLF）处理后的、附有SiO<,2>掩膜图形的SiO<,2>Si(100)基片上,采用微波等离子体化学气相沉积（MPCVD）法选择性地沉积出具有[100]织构的金刚石薄膜图形,并采用扫描电子显微镜（SEM）、Raman光谱和X射线衍射仪（XRD）等手段进行了表征.研究了沉积过程中工艺条件对选择性[100]织构金刚石薄膜沉积的影响.同时采用MPCVD法并结合循环生长工艺在DPLF处理过的Al<,2>O<,3>陶瓷基片沉积出了具有[100]织构的金刚石薄膜.研究表明,在金刚石粉末表面植晶的基础上,氢等离子体循刻蚀工艺将有利于Al<,2>O<,3>基片上[100]织构金刚石膜的生长.