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本论文首次在国内系统地研究了超低压，低压静电放电(ESD)及ESD与抗电磁干扰(EMI)兼容器件的设计与工艺，设计了国内最小的ESD塑封器件以及超低压保护器件，设计了低电容ESD及EMI保护器件，并对其参数进行了测试评估，得到了比较满意的结果。本论文的主要工作如下：
1.用双极晶体管模型，对超低压保护器件的电学性能进行了系统的模拟，从外延层，P+，P-层纵向杂质分布，分析了不同层的厚度，电阻率对击穿电压的影响，模拟了多组电压曲线，为新型器件的选取提供了理论依据。
2.以上述的N+P+P-N+模型为基础，以设计工作电压为2.8伏的新型TVS为目的，利用SUPREM对器件的工艺进行模拟。从隔离扩散，调整层注入，N+扩散以及退火处理的条件入手，系统地进行了分析，得到了较吻合的击穿曲线。
3.根据模拟结果设计了2.8v击穿电压的超低压保护器件，并进行了工艺流片。对封装完成的器件进行了全参数测试，击穿电压，钳位电压，脉冲电流，抗静电能力，达到了设计要求，是国内首次研制的超低压保护器件。
4.设计了ESD阵列，低电容保护器件，EMI保护器件，并进行了流片，工艺优化，参数达到了设计要求。在此基础上，研发设计了国内最小的ESD保护器件0.8*0.6*0.4mm3，系统地研究了超薄芯片减薄技术，背面金属化技术以及封装技术，其参数指标，不仅达到了客户要求，而且电参数一致性，抗静电能力优于进口的同类器件。
5.提出了“静电保护器件平面缓冲层工艺方法”及“超低压保护器件的结构设计”，具有很好的实用价值。