YBa2Cu3O7-δ(YBCO)大面积双面膜作为一类在弱电领域有着广泛应用前途的材料，目前世界各国均投入了相当大的精力来对此进行研究。另外，Si作为目前半导体广泛应用的材料早已商品化。在单晶Si基板上制备YBCO大面积双面膜有着很广泛的应用前景。　　 前期实验表明，如果直接在Si基板上沉积YBCO膜，会导致YBCO的性能恶化，从而必须在两者之间加入缓冲层。缓冲层的作用是承上启下的，一方面要阻挡Si和YBCO之间的互扩散，一方面要传递基板的织构到YBCO膜。所以，缓冲层质量的好坏直接影响着YBCO大面积双面膜的性能。本论文正是基于YBCO大面积双面膜中缓冲层的制备而开展的。　　 第一章简要地叙述了超导研究的历史及近年来高温超导薄膜的制备和应用。从中可以看出，高质量的YBCO大面积双面膜的研制是目前超导材料应用研究的热点之一。另外，我们扼要地介绍了基于真空和非真空路线制备薄膜的方法。　　 第二章研究了直流磁控溅射法制备La2/3Sr1/3MnO3、Si(100)(LSMO、Si)缓冲层。结果表明，采用该方法可以得到具有较好(h00)择优取向的LSMO、Si缓冲层。　　 第三章研究了LSMO、Si缓冲层厚度变化对其取向、微结构和性能的影响。得到了如下结果：随膜厚增加，(h00)择优取向变好，然而表面粗糙度增加；随膜厚增加，LSMO颗粒增大，且其顺磁-铁磁转变的居里温度升高。　　 第四章研究了化学溶液法制备缓冲层。研究了不同退火温度对Y0.15Zr0.85Oδ/Si取向和微结构的影响。首次得到了所有YSZ薄膜在Si(100)基板上均以(111)取向生长；随退火温度升高，(111)取向逐渐变好，晶格常数逐渐增加，膜面质量逐渐改善。在膜厚较薄的情况下，存在Y-Si-O化合物相，随膜厚增加，在XRD中观察不到明显的Y-Si-O化合物相的衍射峰。　　 第五章研究了不同Y含量对YSZ/Si缓冲层取向和微结构的影响。结果表明：在所研究的Y含量范围内，缓冲层均为高度(111)取向；随Y含量增加，YSZ晶格常数增加，且YSZ的颗粒逐渐增大；Zr0.85Y0.15Oδ和Zr0.9Y0.1Oδ两个样品的AFM结果表明，随Y含量增加，薄膜的岛状生长模式被抑制。