随着现代信息技术的飞速发展,物联网、大数据、云计算和人工智能等新兴的产业对信息数据的采集和分析需求越来越大,对信息存储设备的要求也越来越高。在试图取代传统存储系统的技术中,阻变器件很有希望成为下一代主流的信息存储技术之一。而忆阻器作为阻变存储器的基本元器件也引起了广泛的关注。在本文中我们主要运用了绝缘性能优异的二维材料,六方氮化硼(h-BN)作为阻变介质层来制备金属/绝缘层/金属(MIM)结构的忆阻器。在成功制备了一系列微米尺寸的忆阻器并测试了其电学性能后,还利用电子束光刻制备了纳米级别的阻变器件,进一步验证这种结构的忆阻器在未来信息工业上的应用前景。电学测试结果表明在纳米尺寸的器件中有稳定的双极性阻变现象且电流开关比高达10n。与此同时,在用Ag做顶电极的时候,制备的器件待机的能耗只有0.1 fW,是已知的类似器件中的最低记录。在Cross-point结构的h-BN阻变器件能够顺利工作的基础上,我们进一步研究了不同厚度的h-BN构建的以不同金属为电极的微小忆阻器的电学性能,利用常规光刻和电子束光刻相结合的方法批量制备了小尺寸的忆阻器件,提高了制备效率和产量。测试结果表明在Ag为顶电极的器件中有稳定的阈值阻变现象,这种器件可能应用于电路选择器以及神经元计算的电子突触等研究中。在Crossbar结构的h-BN忆阻器中,我们发现在以Ag为顶电极的忆阻器中,器件也表现出阈值阻变现象。和Cross-point的器件相比,器件与器件之间的差异性更小,而且器件的成功率更高。