自旋极化电子的隧穿输运和层间交换耦合的理论研究

来源 :中国科学院物理研究所 | 被引量 : 0次 | 上传用户:shabi12345678
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由于在数字存储及磁性伟感器方面有着潜在的应用价值,近年来隧穿磁电阻(JMR)效 应倍受人们的关注.作为JMR效应理论基础的自旋极化电子隧道输运和层间交换耦合理论, 其研究既有深刻的基础意义,亦有广阔的应用价值.该学位论文围绕着磁性隧道结中的隧穿磁电阻和层间交换耦合问题,开展并完成了一些理论工作,可主要概括为:1、研究了磁性 隧延结中JMR的温度特性.2、把金属磁性多层膜的量子阱理论推广到磁性隧道结中,并利用总能计算和自洽求解费密能的方法研究了层间耦合.3、建立了层间交换耦合的双量子阱模 型.上述理论工作,对探索自旋极化电子的隧道输运和层间耦合现象的本质,包括提高JMR 的幅值,改善其温度特性,具有一定的理论意义.
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