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近年来，GaN基半导体材料和器件取得了很大的进展，但是由于缺乏合适的衬底材料，限制了器件性能的进一步提高。分析GaN外延层中位错密度及类型是评估外延质量的一个重要方面。本论文围绕熔融碱对GaN材料的湿法化学腐蚀特性展开研究，分析了熔融KOH及熔融NaOH对MOCVD生长的GaN湿法化学腐蚀结果，通过与熔融KOH腐蚀结果的对比，重点分析了熔融NaOH的腐蚀特性。我们把熔融碱对MOCVD GaN腐蚀所得结论应用到HVPE厚膜GaN中，分析了采用图形化衬底对厚膜质量的改进效果，为质量评估及工艺改进提供了一种简便直观且有效的方法。获得的主要结果有：
1.通过对比传统的熔融KOH以及新采用的熔融NaOH对MOCVD GaN的腐蚀结果，得出结论：熔融KOH腐蚀性强烈，仅适用于较低温度较短时间的腐蚀；而熔融NaOH腐蚀较温和，在较长的腐蚀时间内均可保持良好形貌，腐蚀表面平整，腐蚀坑规则易观察，腐蚀坑密度更高。
2.根据熔融KOH及熔融NaOH的腐蚀形貌、腐蚀坑密度及腐蚀机理分析，初步得出结论：熔融KOH对具有螺型分量的位错(螺位错和混合位错)信息敏感，而NaOH对具有刃型分量的位错(刃位错和混合位错)信息敏感，两种碱相结合能够较全面的揭示GaN内部位错信息。
3.将熔融KOH及熔融NaOH的腐蚀特性应用到HVPE生长厚膜GaN的分析上，证实了图形化衬底(多孔GaN及Mo纳米岛状掩膜)能够有效地降低位错密度。两种熔融碱相结合的湿法化学腐蚀为评估外延质量提供了简单而有效的方法。