【摘 要】
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该文研究的方向是半导体量子线中的电子-声学波声子散射率问题.该文首先考虑了电子有效质量失配的问题.在此基础上,解薛定谔方程求出电子的波函数.通过引入电子-声子相互作用
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该文研究的方向是半导体量子线中的电子-声学波声子散射率问题.该文首先考虑了电子有效质量失配的问题.在此基础上,解薛定谔方程求出电子的波函数.通过引入电子-声子相互作用的形变势,导出电子-声学波声子相互作用的哈密顿.进而利用Fermi Gold Rule计算出电子-声学波声子散射率.该文所采用的是由分子束外延和光刻技术制作的GaAs/AlGaAs半导体量子线.从结果中发现,考虑了电子有效质量失配对散射率数值的影响很大.是影响散射率变化的一个重要因素.
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