二维层状半导体材料由于其独特的结构和物理特性,已经成为了光电器件领域的研究热点,是下一代光电子器件最有前途的候选材料。硒化铟（InSe）是一种典型的二维层状半导体材料,由于较轻的电子有效质量、高迁移率以及层数相关的光电特性,目前已经在高性能宽带光电探测器领域被广泛的探索。本文采用化学气相沉积的方法成功合成了InSe纳米带,并且制备了InSe纳米带光电探测器。本文具体研究内容如下:1.采用化学气相沉积的方法,以InSe粉末为生长源,在无任何金属作催化剂的情况下实现了InSe纳米带的可控合成。XRD、FESEM、EDS、HRTEM等分析表明,产物纳米带为物相纯净的六方晶系InSe,结晶性良好,表面平整,沿着[110]方向生长;长宽比大,宽度有数百纳米,长度可达数十微米。2.构筑了基于InSe纳米带的光电探测器。电学特性分析表明,器件有着很宽的波长检测范围（265 nm-1050 nm）,并且器件的响应度和增益在3 V偏压下和1.12μW/cm~2光照条件下分别达到了1.49×10~3 A/W和4.11×10~3,这远远高于已经报导过的基于InSe的具有类似结构的光电探测器。此外,还发现InSe纳米带光电探测器的响应峰值随厚度减小出现明显的蓝移。InSe晶体中光学吸收的模拟表明,光响应峰值的蓝移是由于InSe晶体波长相关的吸收系数。波长较短的入射光具有较高的吸收系数,将在表面附近被吸收,而波长较长的光有更大的渗透深度,因此随着InSe晶体厚度的减小,吸收边发生蓝移。3.调整InSe纳米带的厚度,制备了相应峰值分别为蓝光（450 nm）、绿光（530nm）和红光（660 nm）的光电探测器,探索了InSe纳米带光电探测器在全彩色成像方面的应用,表明二维层状材料在全彩色成像方面的潜力。