【摘 要】
:
压力是改变物质的物理性质的基本参数(压力,温度,组分)之一,在高压的作用下,物质发生结构相变或电子相变,呈现出许多在常压下没有的稀奇的物理现象和性质,加深了我们对物质世
论文部分内容阅读
压力是改变物质的物理性质的基本参数(压力,温度,组分)之一,在高压的作用下,物质发生结构相变或电子相变,呈现出许多在常压下没有的稀奇的物理现象和性质,加深了我们对物质世界的认识.2001年,Nagamatsu等人在《自然》杂志上报道了简单金属化合物二硼化镁(MgB2)的超导转变温度达到39 K,这是迄今为止简单金属化合物中超导温度最高的,这给科学界造成了极大的轰动.因此,研究类二硼化镁结构的二元金属间化合物,三元金属间化合物在高压下的结构和性质成为热点. 本文利用基于密度泛函理论的第一性原理方法,系统地研究了三元金属间化合物MAlSi(M= Ca,Sr,Ba)在高压下的电子性质,晶格振动性质.三元金属间化合物MAlSi(M= Ca,Sr,Ba)具有和MgB2类似的六角蜂巢状结构,M(M= Ca,Sr,Ba)原子取代了Mg原子的位置,Al,Si原子无序地占据B原子的位子.通过对M(M= Ca,Sr,Ba)三元金属间化合物能带和三维费米面的计算,我们发现在压力的作用下CaAlSi和SrAlSi费米面附近的能带发生电子拓扑变化,而在BaAlSi中没有观察到这一现象,即:在CaAlSi,SrAlSi金属间化合物中,压强可以导致电子拓扑结构相变(ETTs).通过晶格动力学的研究发现,在压力的作用下,CaAlSi,SrAlSi,BaAlSi的光学支沿着A-L-H方向逐渐软化,声学支逐渐变硬,说明此系列金属间化合物在压力的作用下结构不是很稳定,随着压力的继续增大,将会有新的结构出现.
其他文献
该文主要介绍了作者在功能准一维纳米材料的制备和场发射性能研究两方面所做的工作.具体内容如下:利用物理蒸发的方法,在水平管式炉中大量制备出了各种CaO准一维纳米结构,包
紫外、深紫外光源在深紫外光谱学、微电子学、微机械、信息学等方面有极为广阔的应用前景.使用非线性光学晶体进行频率变换是获得紫外、深紫外相干光源的主要手段之一.该论文
随着科技的发展,紫外探测技术被广泛地应用于军事和民用领域。AlGaN日盲紫外探测器具有全固态、本征截止、工作电压小、物理化学性质稳定等优点。而且,AlGaN材料具有直接宽带
该文研究了B(B)介子的一些重要性质.首先,根据NRQCD理论双重叶介子的物理态包含一系列的福克态的展开,第一项是颜色单态,之后是颜色八重态.为了从B介子衰变中探讨实验观测其
强关联电子系统的物理性质是凝聚态物理学研究的重要方向之一.铜氧化物高温超导体和锰氧化物巨磁阻材料等强关联系统中的奇异物理特性和复杂的相图结构引起了理论工作者的浓
三组份体系是软物质相分离研究中一个复杂而又重要的研究对象。本文采用原胞动力学数值模拟(CDS)方法,研究两类三组份体系的相分离动力学:(1)二元混合物与粒子体系;(2)嵌段共聚
该博士论文共分为六章.第一章为绪论.主要介绍了强激光实验室天体物理学研究的背景和重要意义;同时对激光等离子体与天体等离子体之间的差异和相关性进行了详细地分析和比较,
量子不可克隆理论不允许完美地克隆任意未知量子态,这是由于量子力学线性的结果.因此对量子比特态进行近似克隆并尽可能地达到最高的克隆保真度已成为人们关注的焦点.本文主
GaN(Gallium nitride)基材料是指元素周期表中Ⅲ-A族Al、Ga、 In元素与Ⅴ-A族N元素形成的一类化合物,是直接带隙半导体材料,在室温下有很宽的带隙。GaN(Galliumnitride)基材料
金属纳米粒子与块体材料相比,在光学、磁学、电学以及催化等方面显示出非常不同的特性.这些金属纳米粒子应用于纳电子器件时,要求它们必需排列成有序阵列.目前,已有许多方法