近年来,随着无线通讯技术的快速发展,对高性能器件和电路的需求也大大增加。SiGe HBT 不但具有Si 器件的低成本、高集成度,而且具有GaAs 器件的高频率特性,正在被广泛应用于无线通讯、移动通讯设备中。基于无线通讯这个巨大的应用市场,本课题集中于绝缘型衬底上SiGe HBT及其SiGe 低噪声放大电路的研究。本课题研究的主要内容为:基于绝缘型衬底的SiGe HBT 器件的研究和高频SiGe 低噪声放大器的分析与设计。首先,采用绝缘型衬底进行SiGe HBT 的制备;与普通硅衬底相比,采用绝缘型衬底制备SiGe HBT 可以获得较高的基极-集电极击穿电压,较高的厄利电压和最大震荡频率。为了减小器件的基极、发射极电阻,得到低噪声的SiGe HBT,采用掩埋金属自对准工艺和离子注入工艺。掩埋金属自对准工艺通过埋层金属结构使金属-半导体接触面积实现最大化,并将引线孔面积内的金属—半导体接触转化为金属-金属接触,实现在不提高光刻设备精度的前提下,降低各极接触电阻并减小结面积,进一步提高器件的频率性能。采用离子注入工艺,可以提高外基区表面掺杂浓度,减小外基区与金属接触电阻,以及形成良好的欧姆接触,减小了接触电阻。采用基于高阻抗绝缘型衬底的岛型大面积侧向深腐蚀隔离方法来实现高效能的器件、电路中交、直流之间的隔离; 详细阐述了SiGe HBT 模型参数的测量方法;采用实验室的BEB 软件对设计的SiGe HBT 进行参数提取,利用得到的模型参数进行SiGe 低噪声放大器的设计。详细分析了SiGe HBT 的噪声模型、阻抗匹配方法以及影响放大电路线性度的因素。设计了带有有源偏置的SiGe 低噪声放大器的电路结构;该种结构的放大器可以同时获得噪声匹配、功率匹配。采用Agilent 公司的先进设计系统软件ADS对SiGe 低噪声放大器的性能参数进行仿真。详细分析了片上螺旋电感的模型,以及优化片上电感的方法;采用给出的电感模型,用Matlab 编写了一个计算电感的程序;给出了本课题设计的放大电路中的NiCr 电阻的实现方法。最后给出了制备SiGe 低噪声放大电路的工艺流程及其制备过程中采用的主要工艺,并设计了放大电路的最终版图。