双断口真空断路器利用串联真空短间隙优越的绝缘性能,避免了真空长间隙下击穿电压与真空间隙之间的饱和效应,是未来替代SF6断路器应用于高压领域的发展趋势,近年来成为高压电器领域的研究热点。串联真空电弧相关特性作为影响双断口真空断路器性能的主要因素也受到广大研究者越来越多的重视。双断口真空开关各串联真空电弧由于开关的非同期性,电弧的发展过程,形态等与单断口真空断路器会有所不同,特别是串联真空间隙弧后电压分布不均匀,电弧之间的互相作用,对双断口真空断路器的性能有很大影响。本文针对串联真空电弧间隙的相关问题,提出利用外加磁场的研究手段,采用理论分析、仿真与试验相结合方法对双断口真空断路器电弧进行了研究。本文首先根据真空电弧的形成机理与特点,分析了自身触头产生的纵向磁场、横向磁场和外加磁场分别对电弧发展与形态的影响,得到具有理论支撑的磁场对真空电弧的影响结果,为双断口真空电弧的磁场调控提供了合理有效的参考。利用电磁场分析软件,对横纵磁场触头灭弧室进行了磁场仿真分析和多断口真空断路器的平行排列型布置方式对触头间隙磁场的影响仿真分析,并仿真分析了磁场分布与真空间隙长度和灭弧室间距的影响。得出各种仿真条件下磁场对电弧的影响结果。通过理论计算与仿真相结合的分析方法,设计一种用于双断口真空电弧磁场调控试验的系统。系统包括可产生大小、方向可调磁场的磁场线圈、控制磁场线圈产生不同类型磁场的外电路和磁场调控系统的控制电路。此系统可产生强度0-800mT,脉宽2.5-50ms可调的磁场且性能良好,满足试验需求。本文最终在110kV/50kA合成试验回路平台的基础上,以双断口真空断路器为试品开关,利用自行设计的磁场调控系统对双断口真空断路器开断模拟短路电流时产生的电弧进行调控,得到了与理论分析和仿真结果相对应的试验结果,并提出了不同试验条件下最佳的磁场调控方式,为今后多断口真空断路器的研究设计提供了依据和指导。