基于准浮栅技术的低压模拟集成电路设计研究

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随着集成电路工艺向超深亚微米发展和便携式电子设备的广泛应用,低压低功耗模拟集成电路设计逐渐成为一项热门技术。本文重点研究基于准浮栅技术的低压低功耗模拟集成电路设计技术。在介绍多输入浮栅晶体管的基础上,对准浮栅MOS晶体管的工作原理、等效电路及电气特性进行了系统分析。完成了一系列低压模拟集成电路单元的设计,其中包括低压模拟开关、运算放大器、可调增益放大器和6位电容定标数模转换器等。通过设计一个基于准浮栅技术的1V,2.4GHzCMOS混频器,表明准浮栅技术在射频领域也有着广阔的应用前景。论文分别基于CSMC0.6μm和TSMC0.25μmCMOS工艺的BSIM3V3模型,利用CadenceSpectre和Hspice等仿真工具对本文所设计的所有电路进行了模拟仿真。最后,分别根据CSMC0.6μm双多晶双层铝布线和TSMC0.25μm双多晶五层铝布线CMOS工艺的设计规则,利用CadenceVirtuoso版图设计工具对准浮栅全差分运算放大器、6位准浮栅数模转换器以及准浮栅混频器等电路进行了版图设计。
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