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利用亚单层（sub-monolayer，SML）生长技术可以制备低维量子结构红外光电器件。本文的工作包括两部分，第一部分是GaAs基InAs SML量子结构的光致荧光谱研究，另一部分工作是GaAs基三色InAs量子点红外探测器的研究，所取得的工作成果如下: 1.采用SML生长技术制备了InAs量子结构，并对其进行了光致荧光谱的测试和分析。在12 K下，通过改变SML层的厚度，这种SML量子结构的PL波长范围可以在1.66～1.78μm之间进行调节。在120 K时，这种SML量子结构的光致荧光谱波长超过了1.9μm，其物理原因可能是因为铟原子在生长时的扩散和互混所致。 2.通过改变InAlAs的沉积量研究了InAlAs覆盖层厚度对于SML量子结构光荧光特性的影响。实验数据指出，SML量子结构的光荧光波长及强度与InAlAs层的沉积量有关，当InAlAs层的厚度为0.5个原子层时，光荧光强度在120 K时信号更强。 3.设计和制备了含有AlGaAs插入层的InAs量子点红外探测器。器件在大于-3 V的负偏压下可以实现三色红外探测，所对应的三色分别为6.3、10.2和11μm，并对这三个峰所对应的能级跃迁进行了分析和指认。