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ZnS材料结构的有序化，被认为是构建未来纳米光电器件的基础，而硫化锌结构的形貌尺寸可控是解决这一问题的一个重要手段。纳米材料形貌和尺寸可控技术，可为人们提供研究纳米材料新性质的机会，也为制备出符合预期性质的纳米材料成为可能。本论文着重为解决上述两个问题而展开研究工作，旨在通过简单、经济的手段在不同基体上制备形貌可控的ZnS，并初步研究它们的光学性质。主要研究内容和结论如下：
采用电化学法成功制备了纳米ZnS/ITO修饰电极，考察了纳米ZnS/ITO修饰电极制备条件，确定镀液组成及工艺条件。紫外-可见吸收光谱研究表明ZnS粒子对400nm～350nm范围的紫外光吸收较强，对400nm～500nm的可见光也有良好吸收。通过测试电极对甲基橙溶液的循环伏安曲线和I-T曲线，考察纳米ZnS/ITO修饰电极的光电催化氧化性能，结果表明，在外加电压0.8V，循环伏安曲线出现明显的氧化峰电流，I-T曲线出现明显的响应电流，说明纳米ZnS/ITO修饰电极对甲基橙溶液具有较好光电催化氧化能力。
采用水热法，在脉冲电沉积纳米Zn晶种的ITO基底上，制备了ZnS薄膜，通过实验确定了脉冲电沉积纳米Zn晶种、水热法制备ZnS薄膜的最佳条件。利用XRD、SEM、EDS对ZnS薄膜结构进行了表征，通过UV、PL研究了ZnS薄膜的光学性质。结果表明，纳米Zn晶种的存在、5-磺基水杨酸形貌控制剂的添加和浓度对ZnS薄膜显微形貌有重大影响，0.006 mol/L5-磺基水杨酸能够确保在纳米Zn晶种上生成六方纤锌矿结构的ZnS薄膜，薄膜组成均匀而致密，Zn：S＝1:1，光学研究表明ZnS薄膜禁带宽度较宽5.3eV，发蓝紫光。
采用水热法，在脉冲电沉积纳米ZnS晶种的ITO基底上，制备了ZnS纳米条，通过实验确定了脉冲电沉积纳米ZnS晶种、水热法制备ZnS纳米条的最佳条件。利用XRD、SEM、EDS对ZnS纳米条形貌和结构进行了表征，通过UV、PL研究了ZnS纳米条的光学性质。结果表明，ZnS晶种的存在、5-磺基水杨酸形貌控制剂的添加和浓度，对ZnS显微形貌和光学性质有重大影响，0.02mol/L5-磺基水杨酸能够确保在纳米ZnS晶种上生成闪锌矿结构的ZnS纳米条，纳米条相互交错生长，Zn：S＝1:1，光学研究表明ZnS纳米条禁带宽度较宽5.6eV，发青光。