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四针状氧化锌晶须(T-ZnO_W)是一种具有规整三维空间结构的多功能无机晶体材料。具有非中心对称晶体结构、无毒、生物安全以及生物相容性等特点,尤其是作为一种性能优良的半导体材料,其独特的四针状结构及良好的半导体特性,能够在聚合物内部形成良好的导电通路,不仅可以赋予材料高效的抗静电性能,而且还具有颜色浅、强度高和持久性等方面的综合优势。因此,T-ZnO_W在涂料、塑料、纤维等抗静电复合材料领域具有广泛的应用潜力,近年来成为人们关注的焦点。但T-ZnO_W粉末电阻率在10~8Ω·cm左右,限制了其在抗静电的高分子材料中的应用。本研究通过固相法及表面改性制备了高导电性的T-ZnO_W,结果显示如下:(1)固相掺杂的工艺制备了白色抗静电铝掺杂T-ZnO_W,提高了T-ZnO_W的导电性能,能使T-ZnO_W的电阻率降低6个数量级,达到10~2Ω·cm,基本能保持晶须的四针状结构。(2)优化了工艺条件,得出较好的固相掺杂工艺条件为:以无水乙醇为溶剂,有机铝盐为铝源,[A1]/[Zn]初始加入量为7at.%,前驱体的焙烧温度为900℃,退火温度为700℃,退火时间为1 h,粉体体积电阻率降为6.9×10~2Ω·cm。(3)金属锌包覆的T-ZnO_W,使T-ZnO_W的电阻率降低7个数量级,较好地保持晶须的四针状结构,最后生成的导电粉末是黑色产品。(4)优化了工艺条件,得出较好的包覆工艺条件为:锌粉的包覆量为10wt%,以无水乙醇为溶剂,有机铝盐为铝源,[A1]/[Zn]初始加入量为2at.%,退火温度为700℃,退火时间为1 h,粉体电阻率降为22.6Ω·cm。(5)锑掺杂以及锡包覆的T-ZnO_W导电粉体,能使晶须的电阻率降低4个数量级,得到浅色粉末。(6)将经过表面活性剂改性后的导电T-ZnO_W添加到环氧树脂中,添加2.5%～3%质量百分比的晶须后,环氧树脂膜的体积电阻降低了5个数量级达到10~4 MΩ。