ZnO一维纳米材料因其优异的光电性质成为当前ZnO材料研究中的热点之一。本论文分别利用水热法和化学气相沉积法(CVD)制备出高质量ZnO纳米棒及其阵列结构,并对ZnO和ZnO纳米棒／Si的结构和光电性质进行了研究,对ZnO基异质结型光伏器件做了初步的探索。具体研究内容如下:　　 (1)采用CVD法,未使用金属催化剂,在Si基底上制备了ZnO纳米阵列,研究了不同氧流量和生长温度对ZnO纳米结构形貌的影响,并利用XRD、SEM等测试手段,分析了ZnO一维纳米阵列的生长机理,确定适合ZnO一维纳米棒阵列生长的参数,初步实现CVD法制备ZnO一维纳米阵列的可控生长。　　 (2)采用两步水热法来制备ZnO一维纳米结构。首先采用溶胶——凝胶法在Si衬底上旋涂一层ZnO晶种层；然后利用硝酸锌／六次甲基四胺的溶液,在涂覆了ZnO晶种层上制备出形貌为六棱柱、端面平整的ZnO纳米棒阵列,并通过改变工艺参数,来研究各参数对制备的ZnO纳米棒形貌的影响。　　 (3)制备了ZnO纳米棒／Si异质结构光伏器件。通过测量反射率、伏安特性曲线和吸收光谱曲线,对制备出的ZnO纳米棒／Si异质结型太阳能电池器件的光电响应性能进行了测试研究。测试结果表明开路电压和短路电流的提高与纳米棒排列有关,同时测得器件反射率为5％,光电转化率为2.6％,填充因子为43％。