共生关系的构建:莉迪亚·戴维斯短篇小说中的后人文主义解读

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采用数值模拟的方法分析串联式和串并联式2种流道结构对IGBT散热器传热能力和流动阻力的影响。结果表明:采用串联式流道时IGBT功率模块的最高温度低于采用串并联式流道;采用串并联式流道时IGBT散热器的整体温度分布更加均匀,更有利于功率模块工作性能的稳定;采用串联式流道时IGBT散热器的压降低于串并联式流道,但2种流道结构的压降差值随着质量流量的减小而逐渐降低,当质量流量为0.1kg/s时,2种流道
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本文利用有源钳位PWM控制器LM5025设计一款单端有源钳位反激式高压大功率IGBT的驱动电源。研究了单端有源钳位反激式拓扑的工作原理,分析了LM5025的工作特性,提出了一种基于LM5025的高压大功率IGBT驱动电源的拓扑结构,并完成外围电路的搭建和计算。最后试验结果表明,该电源的输出功率大、隔离电压高、输出电压纹波小、稳定性好,满足高压IGBT驱动电源实际应用需求。
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为测试绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)在工作中的温度特性,利用基于有限元方法的TCAD,模拟仿真了IGBT在不同温度下的静态特性及开关特性,结合硅的热疲劳机理及IGBT损耗分析对IGBT的温度特性进行理论研究,并建立沟槽栅IGBT模型,将IGBT所处温度作为变量,调节设置IGBT工作温度,通过监测栅极电压、集电极电压即集电极电流等参
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具有多重质子注入(multiple proton injection,MPI)缓冲层结构的FS-IGBT,相比传统磷注入缓冲层结构的同类型器件,其动态坚固性发生了改变。通过对MPI缓冲层结构的FS-IGBT的短路特性研究发现,MPI缓冲层的峰数越多,抗短路热失效能力 越强,但是峰数太多,可能会引起IGBT在短路时的栅极电压振荡,造成器件失效。这与IGBT在短路大电流下的Kirk效应有关。Kirk
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