磁控溅射作为最广泛使用的镀膜方法之一，具有样品均匀性和可重复性较好、可方便掺杂以调节薄膜成分等许多优点。另一方面，倾斜沉积法（GLAD）通过束流大角度地倾斜入射引起阴影效应，从而对薄膜的形貌进行调控，制备出特殊形貌的纳米结构。本文将磁控溅射和倾斜沉积相结合，制备出形貌和成分可控的SnO₂基纳米结构阵列，并对其光学、表面浸润、磁学性能进行研究。和光刻等方法相比，倾斜溅射沉积法具有步骤简单、成本较低的优点，在器件应用领域表现出了巨大的潜力。首先，通过倾斜溅射沉积法在密排的聚苯乙烯（polystyrene, PS）微球模板上制备出Ti_xSn_1-xO₂纳米结构阵列。通过调节Ti靶的溅射功率和PS微球模板的大小控制Ti_xSn_1-xO₂纳米结构的形貌，并进一步调控薄膜的反射率。退火后的薄膜晶化为TiO2和SnO₂的复合纳米结构，形貌和抗反射性能均保持良好的热稳定性。其次，对Ti_xSn_1-xO₂纳米结构阵列的表面浸润性进行了研究。以200nm直径聚苯乙烯微球为模板制备出的形貌各向异性的纳米片结构呈现出宏观的各向异性润湿现象，并通过三相接触线的结构进行研究。另一方面，以1μm直径聚苯乙烯微球为模板制备的“球壳”结构在可见光照和黑暗环境中能够发生可逆的超亲水-疏水转变。Ti_xSn_1-xO₂纳米结构阵列同时实现了抗反射性能和特殊浸润性，可应用于表面的抗反射、自清洁和防雾层。最后，通过倾斜溅射沉积法制备Fe_xSn_1-xO₂纳米结构阵列。和Fe_xSn_1-xO₂平膜相比，Fe_xSn_1-xO₂纳米结构阵列具有更大的饱和原子磁矩，并且同时具有垂直磁各向异性和面内磁各向异性。对不同的Fe含量下氧空位的EPR信号强度和饱和原子磁矩的变化趋势进行了研究，表明氧空位是Fe_xSn_1-xO₂薄膜磁性的重要因素。