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以氮化镓(GaN)为代表的Ⅲ-Ⅴ族氮化物作为第三代半导体材料,由于在蓝光二极管、紫外探测器和短波长激光器等固体光电子器件方面的产业化应用,成为近些年来持续的研究热点。室温下GaN的禁带宽度是3.4 eV,可以实现从红外到紫外全可见光范围的光发射和红、黄、蓝三原色具备的全光固体显示,在光电子学和微电子学领域中有重要的应用前景。目前GaN基器件大多数制作在蓝宝石衬底上。由于蓝宝石价格昂贵、衬底自身绝缘且硬度大、器件工艺复杂、制作成本费用高,且其导热性能差,不利于大功率器件的制作,硅衬底则可以弥补这些不足