随着密集波分复用(WDM)的发展，光互连交叉(OXC)和可重构分叉复用(RODAM)系统渐渐成为新型光通讯网络的核心功能，而全光开关是构成这些全光通信系统的核心组件，它避免了光信号在传输处理节点上的光-电-光(OEO)转换的开销，突破了电子速率的瓶颈，是当今半导体光器件研究的热点。本论文基于(半导体光放大器)SOA中的非线性效应理论，提出了一套基于InP/InGaAsP的对称马赫泽德结构(MZI)和SOA的单片集成光控光开关的实验方案设计。该光开关基于SOA的交叉相位调制(XPM)理论，利用一束高能量泵浦脉冲使MZI中一臂上的SOA的载流子浓度发生变化，继而使经过该臂的探测光产生相位变化，两束光在输出端的多模干涉耦合器耦合器(MMI)发生干涉，完成从相位调制到振幅调制的转换，实现了光开关信号的输出。为实现不同器件的单独优化，整个器件利用对接波导技术完成了有源与无源器件的单片集成，这将有利于器件功耗的减小以及器件尺寸的降低。在课题组已有的金属有机化合物化学气相沉淀(MOCVD)生长的外延片基础上，本论文进行了相关的如光刻、干法与湿法刻蚀的实验工艺探索，得到了可重复性高的实验参数，为后续加工实验做了坚实的基础。