基于牺牲层腐蚀技术的集成光波导的研究

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随着MEMS技术的不断成熟和集成光学的不断发展,传统的微纳米制造工艺不仅仅局限于微机械电子方面了,已经开始与微纳光子技术相结合发展出微纳光电机械系统。与平面集成光波导相比,基于MEMS技术的集成光波导可以定义在三维尺度上,具有更大的机构自由度。当加入静电致动器时,可以实现活动光波导机械振动。MEMS是一个具有很大前景的方向。在基于MEMS技术的光波导结构中,悬空结构几乎是一个不可缺少的结构单元,所以释放牺牲层是非常重要的工艺过程。为了能与COMS工艺兼容,选择了HF气相腐蚀牺牲层,控制样品表面温度为60℃,腐蚀速率为17nm/min,成功避免了由液体表面张力引起的悬空结构沾粘现象,得到了良好质量的悬空薄膜波导。  光栅耦合器可以减少光在集成波导和光纤耦合时因模斑失配带来的耦合损耗。由于光栅很强的反射模场同样使得耦合效率减弱。为了削弱光栅的背向反射,通过调节光栅周期使耦合光方向偏离垂直方向10°左右,这种轻微的方向偏离导致对准和后期封装变得很困难,增加了器件成本。仍然采用了传统光栅耦合器的削弱背向反射原理,改变耦合光栅面的方向,根据光栅面方向的偏离角度设计光栅周期来保证耦合光纤完全垂直,这种结构简化了后期对准和封装难度,适合批量生产。利用HF湿法腐蚀和硫酸双氧水的湿法氧化在SOI材料上成功制作了有较高重复率的倾斜薄膜波导光栅。对于横电模该光栅耦合器具有28.5%的峰值耦合效率和ldB38nm带宽,背向反射削减到1.4%。
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