当前，随着尖端科技的不断发展和人们环保意识的逐渐增强，对火箭燃烧产物、汽车尾气和工业废气等一系列高温有害气体的监测要求越来越高。故作为气体探测的终端，气敏传感器的存在是必不可少的。碳化硅（SiC）以其优良的物理化学特性和电学特性成为制造高温、高频、大功率半导体器件的一种最具有优势的半导体材料。SiC基气敏传感器主要有三种结构形式：MOS电容型、SBD型和MOSFET型。文章主要针对后两种结构进行研究。本文首先分析了SiC气敏传感器的响应机理，详细研究了催化金属表面氢吸附-解吸理论和SBD热电子发射理论。考虑理想因子的变化和势垒高度的调制，建立了SBD传感器的物理模型，确定了SBD器件中界面层的可取厚度：2-5nm。探讨了SBD传感器的制备技术方案，重点分析了关键绝缘层的重要作用和制备方法，设计确定了器件的整体结构，提出了一套详细的样品制备流程，并对样品的响应特性做出合理的预测。最后，文章对MOSFET器件中衬底偏置对气体响应的影响做了简要分析，完成了MOSFET传感器实验流程设计，并绘制了版图，同时指出了制备过程中各工艺步骤和参数选取的注意事项。