无线通信领域对集成电路(IC)的巨大需求推动了半导体产业的快速发展,随着CMOS工艺的迅速发展,以及MOS器件截止频率不断提高,MOSFET的研究得到越来越多人的关注。半导体器件建模是连接起电路设计和制造技术的一个重要环节。而器件尺寸越来越小,集成规模越来越大,集成电路工序越来越复杂,对器件模型的精度要求也越来越高,精确的器件模型无疑已成为电路设计者们首要解决的问题。本论文的研究工作主要围绕深亚微米MOSFET建模技术的学习与研究展开。第一章介绍了MOSFET的基础知识,包括其发展历史,结构以及工作原理。第二章介绍了MOSFET模型的相关知识,包括对其要求,其分类,发展历史,研究流程,并研究了以Shockley模型为代表的传统MOSFET模型。实验结果表明,以Shockley为代表的传统MOSFET模型以不能正确表征深亚微米MOSFET的特性,模型需要发展与改进。第三章介绍了MESFET非线性模型,对0.25μm MOSFET基于MESFET非线性模型进行了DC参数提取与软件仿真,以及精度分析。实验结果表明,MESFET非线性模型可以较好的表征MOSFET的DCⅠ-Ⅴ特性,并且模型参数越多精度越高。第四章讨论了上面提到过的传统MOSFET模型存在的问题和缺陷,在此基础上提出了一种改进型MOSFET DC模型,并进行了参数提取与软件仿真,以及精度分析。实验结果表明,该改进型模型可以很好的表征深亚微米MOSFET的DC I-V特性。第五章介绍了目前MOSFET射频级建模的发展,学习研究了众多文献中给出的三种MOSFET射频级建模方法。