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氧化锌(ZnO)是一种直接带隙宽禁带(3.37eV)Ⅰ-Ⅵ族化合物半导体材料,具有较大的激子束缚能(60meV),理论上可以在室温下实现紫外光的受激发射。同时,ZnO还是优质的压电、气敏及光电材料。本文中用溶胶-凝胶法制备了Mg掺杂的ZnO薄膜和用电子束蒸发法制备了ZnO/TiO_2复合膜,通过控制衬底温度、退火温度及掺杂等主要参数,对ZnO薄膜的晶体结构和发光特性进行了较系统地研究。首先,以石英及单晶硅为衬底,经过500℃退火处理的掺MgZnO薄膜,分析其掺杂浓度对ZnO薄膜的结构和光学