L1₀-FePt有序合金作为新一代磁记录介质材料，具有极高的磁晶各向异性（107erg/cm3），在超细晶粒尺寸（3⁵nm）情况下仍具有很高的热稳定性。减小FePt的晶粒尺寸、弱化FePt颗粒间磁耦合作用以及获得垂直各向异性是FePt薄膜研究需要解决的主要问题。本文针对这些问题，系统地研究了FePt连续膜的成分和有序化退火对磁性能的影响。采用Si-N作为非磁性基体，制备了FePt-Si-N纳米复合颗粒膜，系统地研究了薄膜的制备工艺、微观结构和磁性能之间的关系。此外，还初步研究了磁记录底层材料的制备和结构及对FePt各向异性的影响。首先利用磁控溅射在Si基片上制备了一系列FePt连续薄膜，研究了薄膜厚度、热处理温度和时间、Fe/Pt原子比对薄膜结构和磁性能的影响。结果表明，薄膜的有序化与薄膜厚度有着密切的关系，厚度越厚，薄膜的有序化程度越高，磁性能越好。退火温度的升高和退火时间的延长均可以提高原子的扩散系数，使薄膜的矫顽力增加。富Fe的薄膜具有相对较高的有序化程度。Fe和Pt的原子比为55:45时，有序化程度最高，有序化过程最快，矫顽力最高，平行方向的矫顽力为14.2kOe。Fe和Pt的原子比为50:50的薄膜，在膜厚为20nm时获得（001）垂直取向。在Si基片上利用反应磁控溅射制备了FePtSiN薄膜，研究了退火温度、Fe/Pt原子比、以及Si、N成分对薄膜结构和磁性能的影响，并对其微观结构进行了表征。结果表明，(Fe₅₅Pt₄₅)₉₀Si₁₀-N薄膜的有序化转变温度在600°C左右，比FePt连续薄膜高约100°C。当Fe和Pt的原子比为55:45时，薄膜的矫顽力最大。添加Si、N可以抑制FePt晶粒的长大，当Si/N比例合适时，会形成非晶态的SiN相，SiN相的存在减小了FePt颗粒之间的交换作用，提高了薄膜的矫顽力。对于不同N分压制备的薄膜，在N分压为20%时，(Fe₆₀Pt₄₀)₉₀Si₁₀-N薄膜的矫顽力最大，开关特性最好。原子力显微镜（AFM）观察表明薄膜表面颗粒大小均匀，表面粗糙度Ra=0.8nm。利用高分辨电镜（HRTEM）和高分辨能谱（EDS）分析表征了(Fe₅₅Pt₄₅)₉₀Si₁₀-N薄膜的微观结构，证实我们通过Si-N添加成功获得了纳米复合颗粒膜结构，并观察到L1₀有序结构的FePt晶体和非晶态的Si-N相，薄膜是沿（111）取向生长的。此外，还初步研究了为获得垂直各向异性FePt薄膜的底层薄膜的制备和结构。采用基片加热的方法制备了系列Cr膜，研究了基片加热温度，偏压，膜厚和溅射功率等工艺参数对Cr底层取向的影响。前期结果表明，Cr膜的晶化温度在400°C左右，偏压不利于Cr（200）织构的形成。薄膜越厚，Cr（200）衍射峰越强。随着溅射功率的增大，Cr（200）峰略有增强。同时研究了Cr层对FePt薄膜结构的影响，发现添加Cr底层会降低FePt薄膜的有序化程度。论文尚未得到高性能的各向异性FePt薄膜，底层材料的制备工艺还有待进一步研究。本论文工作表明，FePt-Si-N纳米复合颗粒薄膜具有小的晶粒尺寸、弱化的晶间交换作用和高的矫顽力，在新一代高密度磁记录介质材料领域具有重要的应用前景。但是，如何在这类薄膜中获得垂直各向异性仍然是一个挑战性的课题。