极紫外光亥(?)(Extreme Ultraviolet Lithography)是四种下一代光刻技术(极紫外光刻、X射线光刻、电子束光刻和离子束光刻)中最有希望实现22nm光刻技术节点的技术,同时也是批量生产线宽小于0.1μm集成电路的关键技术。极紫外光刻利用的是波长为13.5nm的极紫外光。但是,在160-240nm波段,由于极紫外光刻的光源光谱强度较强、光刻胶的敏感值较大以及多层膜的反射率较高,光刻胶也会在此带外波段曝光。从而导致进入曝光系统的光谱范围变宽,致使光刻系统的分辨率降低,进而影响光刻系统的光刻质量。鉴于此,本论文对提高极紫外光谱纯度的多层膜进行了深入的研究。第一,设计了提高极紫外光谱纯度的多层膜,从理论上实现了对极紫外光刻系统中带外波段的有效抑制。设计过程主要包括多层膜配对材料的选择、减反层材料的选择、结构参数的优化设计以及基片的选择。第二,制备了提高极紫外光谱纯度的多层膜,其依据为上述的设计参数。制备过程主要包括工艺参数的寻优、溅射速率的标定、光学常数的确定以及溅射时间的确定。第三,检测了根据上述设计所制备的极紫外多层膜,得到了其实际反射率,并与理论拟合的反射率进行对比。本论文从理论和实验两方面验证了通过在[Mo/Si]∧40多层膜上镀制SiC单层膜可对极紫外光刻系统中的带外波段进行有效抑制的可行性,详述了设计并制备[Mo/Si]∧40SiC多层膜的方法和步骤。本论文运用理论模拟的方法设计极紫外多层膜,采用直流磁控溅射技术镀制[Mo/Si]∧40多层膜,采用射频磁控溅射技术镀制SiC单层膜。另外,薄膜厚度、薄膜的光学常数以及多层膜的反射率分别利用X射线衍射仪、椭偏仪以及UV/VUV分光光度计来确定。实验结果表明,在极紫外波段的反射率仅降低5%的前提下,通过在[Mo/Si]A40多层膜上镀制SiC单层膜,带外波段的反射率可减少5倍。