本文利用静电纺丝技术制备纯ZnO和Co掺杂ZnO稀磁半导体纳米线。对Cox(ZnO)1-x纳米线的合成,结构,光学特性及磁性行为等进行了初步研究。主要内容如下:　　 首先,我们在530℃、700℃、900℃三个不同温度下处理电纺复合纤维合成了纯ZnO纳米线。随合成温度的提高,锌纤矿ZnO纳米线的结晶度提高,平均直径从127nm变化为106 nm,并伴随Raman特征峰的红移。比较530℃下不同处理时间合成ZnO的形貌,确定10 h以上的处理时间会使样品成为颗粒结构。室温PL谱显示纯ZnO纳米线存在399 nm和468nm两个发射峰,我们认为均与ZnO内部晶格的缺陷有关。利用先空气后O2气氛中的两步高温处理,得到ZnO一维中空管结构。　　 其次,在各种温度下制备的纯ZnO纳米线样品均呈现显著的室温铁磁性。合成温度越高,纯ZnO纳米线的铁磁性越弱。纯ZnO纳米线样品分别在O2、N2、及H2等不同气氛中500℃退火处理,得出经N2气氛处理的磁性减弱幅度最大。我们认为这与纯ZnO纳米线中的室温铁磁性来源与晶体的Zn空穴有关。　　 最后,我们利用相同的合成技术制备1.8％、4.4％、7.2％浓度Co掺杂的ZnO稀磁纳米线。Co含量的增加会使得锌纤矿结构的晶粒度下降。Co掺杂浓度在5％以下的样品的激子带边发光特性较纯ZnO出现红移的特性。同时随着掺杂量的提高,纳米线样品的磁化强度随之减小,这可能与是Co对Zn的替代作用抑制了Zn空穴在纳米线中的存在,进而影响其室温铁磁性能。