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本文采用脉冲激光沉积法(PLD)制备了晶态ZnO薄膜,研究了衬底温度、氧气压强和衬底材料对ZnO薄膜结构特性的影响,优化了工艺参数。在此基础上,制备了过渡金属Ni、Mn掺杂的ZnO基稀磁半导体(DMS)薄膜材料,并对样品进行了结构表征和特性研究,结合磁性行为分析,探讨了样品铁磁性的起因。对于Ni掺杂的样品,其结构和光学吸收分析结果显示,Ni2+离子已经部分的替代了Zn2+离子进入到ZnO的晶格结构中。而随着Ni含量的增加,薄膜的表面形貌变得更加不均匀。室温铁磁行为是发生在Ni的含量不太高