本论文研究的目的是为高频宽带电磁干扰抑制材料提供理论和实验依据。根据Sendust合金磁损耗性能和抑制机理的特征,针对目前EMI抑制材料高频性能差,抑制频带窄的缺点,主要研究了以下五点内容:首先将电磁场理论与铁磁理论相结合,分析了Sendust合金材料在低频和高频下能量损耗机理,指出,在低频下,材料能量损耗主要是磁损耗中的涡流损耗,而高频下,材料的能量损耗机理主要是自然共振和铁磁共振,然后得出材料磁谱随磁学性能、粉末微观形态的变化特点,为选择材料和制备材料提供理论依据;其次以材料在高频段和低频段的能量损耗机理和磁谱特征为基础,分析了限制软磁合金高频应用的问题,然后设计了合理的软磁合金复合材料制备工艺;根据材料制备工艺的设计步骤,制备EMI抑制材料。通过对制备材料进行测量得知:Sendust粉末经球磨1.0h、真空退火、氧化膜包覆工艺处理后,粘接压制成型,制备的材料具有较好的高频抑制性能;对处理后的Sendust合金粉末与MnZn铁氧体共混制备的复合体磁芯,其EMI抑制性能表现出比单一组分更加优秀的性能,随着Sendust合金含量的提高,高频抑制性能逐渐提高,频带变宽,非常适合在准微波频段使用。对球磨0.5h的粉末,经退火、氧化膜包覆、900℃烧结成型,获得EMI抑制器件,具有较好的高频EMI抑制性能,适合做高频抑制材料。最后在理论上分析如何根据给定的电磁干扰情况,选择和制备相应的抑制材料,并通过材料的并联和串联进一步提高材料的EMI抑制特性。